第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，可應用於光電、電力電子和微波射頻等領域，其中，碳化矽目前主要是用在650V以上的高壓功率器件領域，而氮化鎵主要是用在650V以下的中低壓功率器件領域及微波射頻和光電領域。第三代半導體是5G、人工智能、工業互聯網等多個「新
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